![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Интегральная микросхема позволяет регистрировать ионизирующее излучение и заряженные частицы большой энергии и может быть использована для проведения экспериментальных исследований воздействия тяжелых заряженных частиц на электронную компонентную базу космического применения и другие материалы при эксплуатации в условиях, имитирующих радиационное воздействие космического пространства. Позволяет регистрировать и определять ионизирующее излучение и заряженные частицы в широком диапазоне зарядов вплоть до тяжелых заряженных частиц, определять координату пролетающей частицы с точностью не хуже 0,3 мм. Представляет собой матрицу площадью 10 см^2 из 32 высоковольтных обратно смещенных P-i-N диодов, выполненную в виде узкой длинной полосы (стрипа) шириной 1 мм, изготовленную на одной пластине по планарной технологии из высокоомного и сверхчистого кремния бестигельной зонной плавки.