Proc. of 23 -rd Int.Conf. on Semicond.Phys. Berlin, Germany, July 21-26, 1996сборник
Статьи, опубликованные в сборнике
-
-
1996
The DX-centre in GaAs delta-doped by Sn on vicinal substrate structures
-
Kulbachinskii V.A.,
Lunin R.A.,
Kytin V.G.,
Bogdanov E.V.,
Bugaev A.S.,
Senichkin A.P.
-
в сборнике Proc. of 23 -rd Int.Conf. on Semicond.Phys. Berlin, Germany, July 21-26, 1996, том 4, с. 2761-2764