|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Low-k OSG damage and etching by F atoms at lowered temperaturesдоклад на конференции
- Авторы: Zyryanov S., Kurchikov K., Lopaev D., Mankelevich Yu, Baklanov M., Rakhimova T., Voronina E., Novikova N., Palov A.
- Международная Конференция : ISPC 2015 22nd International Symposium on Plasma Chemistry
- Даты проведения конференции: 5-10 июля 2015
- Дата доклада: 7 июля 2015
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Palov A.
- Место проведения: Антверпен, Belgium
-
Аннотация доклада:
Damage and etching by F atoms was studied in ICP downstream reactor at temperatures from +15 to -30°C for low-k OSG films. It is shown that OSG exposure to fluorine atoms leads to film fluorination, H abstraction reactions from –CH3 groups with formation of –CHxFy species and film etching. Activation energy for H atom replacement by F atom in -CH3 was estimated using the experimental data.
- Добавил в систему: Зырянов Сергей Михайлович