Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
The impurity atoms effect on the flicker noise characteristics of the tunneling current from individual InAs (110) atomic sites
доклад на конференции
Авторы:
Орешкин А.И.
,
Орешкин С.И.
,
Панов В.И.
,
Манцевич В.Н.
,
Maslova N.S.
Международная Конференция :
Nanoscale VIII
Даты проведения конференции:
2010
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
Орешкин А.И.
не указан
Орешкин А.И.
Орешкин С.И.
Панов В.И.
Манцевич В.Н.
Maslova N.S.
Место проведения:
Basel
Добавил в систему:
Манцевич Владимир Николаевич