ИСТИНА

Прогресс в полупроводниках за последние пятьдесят лет в основном связан с легированием [1]. Атомы легирующей примеси при внедрении в кристаллическую решетку генерируют точечные дефекты, которые определяют структурно-чувствительные свойства кристаллов. Эти свойства также влияют на качество кристаллов: плотность дислокаций, двойники, микро- и макросегрегации и т.д. Но в случае химических соединений нет никакой разницы в том, что является источником образования точечного дефекта либо это легирующая примесь, либо стехиометрический компонент [2]. Достижения в технологии сложных неорганических полупроводников, таких как AIIIBV и AIIBVI, непосредственно связаны с исследованиями нестехиометрии [2,3]. На сегодняшний день нет абсолютно достоверной информации о нестехиометрии многих соединений, например, AlN, GaN, InP, но диаграммы pi-T, которые необходимы для успешного изучения нестехиометрии, изучены для многих соединений. В случае органических полупроводников ситуация более неопределенная. В литературе нет информации о диаграммах pi-T для органических полупроводников. Принято считать, что органические соединения имеют фиксированный стехиометрический состав. Но согласно термодинамическим законам при Т>0 К в кристаллическом веществе генерация атомных точечных дефектов неизбежна [3]. Это означает, что кристаллическая фаза любого химического соединения существует в ряде составов в пределах области гомогенности, которая для большинства соединений имеет ширину от 0,1 до 0,001 мол.%, но в этом диапазоне функциональные свойства кристаллической фазы могут меняться в порядках значений. Анализ взаимосвязи между нестехиометрией, условиями синтеза и функциональными свойствами является предметом химии твердого тела [3]. В докладе обсуждается общий подход и особенности исследований диаграмм pi-T-x для неорганических и органических соединений, а также их применения для роста кристаллов и технологий органических светоизлучающих диодов.