ИСТИНА

Эффективность работы электронных и оптоэлектронных приборов на основе полупроводниковых материалов и структур во многом определяется характером неравновесных процессов, индуцированных внешними воздействиями. Фоточувствительность и неравновесный транспорт зависят от совокупности многих факторов, в число которых входят тип внешнего воздействия и характерные особенности микроструктуры используемых соединений. В настоящей работе рассмотрены результаты комплексного исследования пленок PbSe с варьируемой микроструктурой в условиях стационарной и импульсной подсветки, в магнитных полях и в широком диапазоне температур. Цель работы состояла в определении влияния микроструктуры и степени окисления на механизмы проводимости пленок различной толщины.