ИСТИНА

Целью данной работы было исследование фазового перехода в эпитаксиальных пленках VO2, в том числе в частотном диапазоне 6-20 ГГц. Методом MOCVD получены биаксиально текстурированные пленки VO2 на гибких металлических подложках с системами оксидных буферных слоев. В полученных образцах диоксида ванадия на гибких подложках изменение сопротивления при фазовом переходе составило 3-4 порядка, что сопоставимо с результатами для пленок VO2 на монокристаллах, но значительно ниже по себестоимости. Изучена принципиальная возможность проведения фотолитографии на поверхности эпитаксиальных пленок VO2, исследован их оптимальный травитель. Выявлен яркий гистерезис проводимости исследуемых образцов от температуры в окрестностях точки перехода как при постоянном токе, так и при переменном в СВЧ диапазоне длин волн.