ИСТИНА

Диоксид ванадия при температуре 68°С проявляет резкий переход ме-талл-полупроводник, сопровождающийся изменением проводимости до 105 раз и оптической прозрачности, в том числе в ИК и ТГц диапазонах, что открывает перспективы его использования в оптике и микроэлек-тронике (элементы памяти, устройства автоматического контроля, термо-резисторы и др.). Металлические ленты с буферными слоями могут заме-нить монокристаллические подложки, т.к. они позволяют получать высо-кокачественные эпитаксиальные пленки в текстурированном виде, выдер-живают несколько циклов переключения, обладают гибкостью и низкой стоимостью. В качестве металлических лент с буферными слоями могут быть использованы архитектуры, широко известные в технологии получе-ния ВТСП-проводов второго поколения и содержащие оксидные слои, близкие по кристаллографическим параметрам к VO2 (MgO, Y2O3, YSZ). Целью данной работы было исследование фазового перехода в эпитак-сиальных пленках VO2, в том числе в частотном диапазоне 6-20 ГГц. В полученных методом MOCVD образцах VO2/буферные слои/металлическая подложка изменение сопротивления при фазовом переходе в VO2 составило 3-4 порядка, что сопоставимо с результатами для пленок VO2 на монокристаллах. Изучена принципиальная возможность проведения фотолитографии на пленках VO2 для формирования заданной топографии поверхности (метаматериалы). Выявлен яркий гистерезис проводимости исследуемых образцов от температуры в окрестностях точки перехода как при постоянном токе, так и при переменном в СВЧ диапазоне длин волн.