Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Влияние эффекта каналирования на профиль распределения внедренных частиц при облучении монокристалла Si (110) ионами Xe+
доклад на конференции
Авторы:
Балакшин Ю.В.
,
Черныш В.С.
,
Шемухин А.А.
,
Кожемяко А.В.
Всероссийская Конференция :
XVI межвузовская научная школа молодых специалистов «Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине»
Даты проведения конференции:
24-25 ноября 2015
Дата доклада:
25 ноября 2015
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
не указан
не указан
Балакшин Ю.В.
Черныш В.С.
Шемухин А.А.
Кожемяко А.В.
Место проведения:
Москва, Russia
Добавил в систему:
Балакшин Юрий Викторович