ИСТИНА

Проведены эксперименты по имплантации ионов Xe+ с энергиями 100 кэВ и 200 кэВ и дозой 1014 ион/см2 в направлении каналирования и в направлении, не содержащем открытых каналов. Выявлен ряд факторов, влияющих на распределение частиц по глубине: разрушение кристаллической структуры при критической дозе (выше 1014 ион/см2). Показано, что профиль распределения внедрённых ионов представляет собой сумму двух компонент: каналированные ионы и ионы, не попавшие в канал. Определено, что наиболее близкие к экспериментальным данным результаты даёт аппроксимация распределением пирсона.