ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
Физическое распыление широко применяется в современных технологических процессах обработки различных материалов. Компьютерное моделирование данного процесса обычно выполняется с помощью молекулярной динамики (МД) или на основе метода Монте–Карло (МК). Потенциалы, описывающие взаимодействие атомов мишени друг с другом и с налетающими ионами, могут оказывать существенное влияние на точность получаемых при моделировании результатов.В работе анализируется влияние вида Ar-Si потенциала на коэффициент распыления и проводится сопоставление результатов МД и МК расчетов.