|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
О влиянии светового излучения на изотермический отжиг метастабильных состояний в легированных пленках a-Si:H.доклад на конференции
- Авторы: Курова И.А., Громадин А.Л., Ормонт Н.Н.
- Международная Конференция : III Международная конференция “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”
- Даты проведения конференции: 2002
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: не указан
- Место проведения: г. Санкт-Петербург, ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе, Russia
-
Аннотация доклада:
Исследовалось влияние слабой подсветки на изотермический отжиг фотоиндуцированных метастабильных состояний в легированных бором пленках a-Si:H. Получено, что в первую очередь образуются метастабильные электрически активные примеси (МЭАП) с малыми эффективными временами. Это определяет проявление отоиндуцированного отжига в преимущественном уменьшении концентрации МЭАП с большими значениями времен отжига.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна