ИСТИНА

Одной из основных проблем создания элементной базы наноэлектроники на основе графена является обеспечение возможности формирования на графеновых листах областей с высоким омическим сопротивлением в заданных геометрических границах. Уже в ранних исследованиях группы Гейма – Новосёлова было показано, что необходимые значения сопротивления могут быть достигнуты переводом графеновых областей во фторированное состояние – фторграфен. Для достижения этой цели были решены три задачи: (1) разработка, изготовление, и апробация установки для CVD-синтеза графена на медной подложке; (2) поиск оптимального способа формирования реплик твёрдого фторирующего реагента на металлическом носителе; (3) поиск оптимального способа локального твердофазного фторирования графена. Для локального твердофазного фторирования графена сконструирован специальный фиксатор, обеспечивающий надёжный контакт реплики твёрдого фторагента с графеновым слоем, сформированным на плоской медной подложке методом CVD. В наших экспериментах контакт достигался за счёт использования специальной формы носителя с репликой – полуцилиндр с радиусом кривизны  0.15мм. Фторирование проводилось в эффузионной ячейке при постепенном подъёме температуры и масс-спектральном контроле состава газовой фазы. Идентификация областей локального фторирования, а также их границы определялись методами СЭМ/ЭДМА и КР-спектроскопии. При ширине областей локального фторирования 10мкм размер границы с областью чистого графенового слоя не превышал 200нм. Таким образом, предложенный способ позволяет получать контрастные области фторированного графена, размеры и форма которых определяются геометрией контакта «реплика фторагента-графен».