|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Механизмы образования и аннигиляции фотоиндуцированных дефектов в аморфном гидрированном кремнии.доклад на конференции
- Авторы: Звягин И.П., Ормонт Н.Н., Курова И.А.
- Конференция : Всесоюзный семинар "Аморфные гидрированные полупроводники и их применение"
- Даты проведения конференции: 1991
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: не указан
- Место проведения: г. Ленинград
-
Аннотация доклада:
Показано, что в одной и той же пленке a-Si:H, в зависимости от ее начального состояния, температурные зависимости скоростей образования оборванных связей кремния (ОС) и порядок реакции образования ОС различны. После длительного предварительного освещения пленки при повышенной температуре процесс образования ОС - бимолекулярный, скорость его не зависит практически от температуры. Полученные данные указывают на существование двух механизмов дефектообразования, которые обсуждаются в работе.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна