|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Simulation of single-electron transistor based on the molecule with single-atom charge centerдоклад на конференции
- Авторы: Шорохов В.В., Паршинцев А.А., Солдатов Е.С.
- Международная Конференция : International Conference "Micro- and Nanoelectronics — 2018" (ICMNE-2018)
- Даты проведения конференции: 1-5 октября 2018
- Дата доклада: 3 октября 2018
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: Паршинцев А.А.
- Место проведения: Звенигород, Московская область, Russia
-
Аннотация доклада:
Solid state single-electronics based on the transistors with a single-atom charge center is a new promising direction of nanoelectronics. Realization of single-atom single-electron devices is possible using molecules with accentuated single-atom detached charge center. One of the basic elements for such investigation is a single-electron monomolecular transistor (SET).
- Доклад на конференции выполнен в рамках проекта (проектов):
- Добавил в систему: Паршинцев Александр Александрович