|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
ВЛИЯНИЕ ОДНООСНОГО СЖАТИЯ НА КОНЦЕНТРАЦИЮ И ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ n-GaAs/AlGaAs:Si ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХдоклад на конференции
- Авторы: Минина Н.Я., Богданов Е.В.
- Всероссийская с международным участием Конференция : XXXVIII Совещание по физике низких температур
- Даты проведения конференции: 17-22 сентября 2018
- Дата доклада: 18 сентября 2018
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Шепси, Russia
-
Аннотация доклада:
Влияния одноосного сжатия до давления Р = 3,5 кбар вдоль направления [110] на сопротивление, эффект Холла и осцилляции магнетосопротивления двумерных электронов в высококачественных гетероструктурах n GaAs/Al0.29Ga0.71As:Si было исследовано в темноте и в режиме задержанной фотопроводимости при температуре Т = 1,7 К.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович