Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Новый метод определения фотоэлектрических параметров полупроводниковых пластин с р-п переходами.
доклад на конференции
Авторы:
Морозова В.А.
,
Кошелев О.Г.
Всероссийская Конференция :
2-ая Российская конференция по физике полупроводников.
Даты проведения конференции:
16-20 сентября 1996
Дата доклада:
18 сентября 1996
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
не указан
не указан
Морозова В.А.
Кошелев О.Г.
Место проведения:
Зеленогорск. , Russia
Добавил в систему:
Кошелев Олег Григорьевич