![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Недавно [1] было показано наличие когерентных возбужденных состояний в диффузионном s-волновом сверхпроводнике, облучаемом микроволновым полем. Было показано [1], что основное состояние такого сверхпроводника качественно изменяется, плотность состояний приобретает ступеньки при кратных энергии фотонов энергии и демонстрирует экспоненциально-подобный хвост под щелью. Теоретический анализ влияния неупругих процессов на когерентные возбужденные состояния сверхпроводника в удобной туннельной модели проведен в работе [2]. Модель, использованная в [2], представляет собой тонкую грязную сверхпроводящую полосу, контактирующую с диффузным нормальным металлическим резервуаром через малопрозрачный туннельный барьер. В этой презентации мы рассмотрим случай туннельной релаксации в диффузный сверхпроводящий резервуар. Получены уравнения для спектральных функций сверхпроводника и неравновесной функции распределения. Полученные результаты важны при построении сверхпроводящих параметрических усилителей и сверхпроводящих резонаторов. Мы благодарны за финансовую поддержку Российского фонда фундаментальных исследований, грант № 1702-00757 и Российского научного фонда, грант № 17-72-30036, а также за финансовую поддержку Министерства образования и науки Российской Федерации. Федерация, договор № 14.B25.31.0007.