ИСТИНА

В лаборатории атомной структуры и анализа поверхности (Удм ФИЦ УрО РАН) над проблемой разработки корректного теоретическо-го описания EELFS процесса с 1989 года начала работать группа под руководством Юрия Васильевича Раца. К настоящему моменту разра-ботана методика учета мультипольности процесса электронного воз-буждения внутреннего уровня атома вещества. Разработаны методы расчета амплитуд и интенсивностей электронных переходов, форми-рующих EELFS спектр [8-13]. Это позволило выделять из эксперимен-тальных EELFS спектров нормированные осциллирующие части и проводить их количественный анализ. При этом анализ осциллирую-щих частей проводился методом решения обратной задачи с регуляри-зацией по Тихонову. Разработанная методика была аттестована на од-но- и двух-компонентных системах на основе 3d-металов [14, 15]. Уда-лось с хорошей точностью получить парциальные координационные числа, длины химической связи и параметры их дисперсии для ряда 3d-металлов и их стехиометрических оксидов [16, 17]. При переходе от модельных объектов к тому, что интересует исследователя в реальных условиях, возникают новые, в том числе теоретические задачи. Так, при исследовании систем на основе сплавов 3d-металлов возникает проблема перекрытия областей определения EELFS структур различ-ных химических элементов. Т.е. случай, когда EELFS структура одного хим. элемента в энергетическом диапазоне перекрывается с EELFS структурой от другого хим. элемента. Авторским коллективом было предложено решение данной проблемы на примере сплавов Cu-Ni, Cu-Mn [18]. Использование EELFS спектроскопии позволяет проводить анализ локальной атомной структуры ионномодифицированных по-верхностей 3d-металлов [19. 20]. На данный момент ведется комплекс исследований изменений в поверхностных слоях систем на основе 3d-металлов (Fe, сплавы Cu-Ni, Cu-Mn) после облучения ионами легких элементов (C+, O+, N+). Работа выполнена по пану НИР № гос. Регистрации АААА-А17-117022250040-0 при частичной финансовой поддержке проекта РФФИ № 16-43-180765, проекта Президиума РАН № 18-10-2-25