|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Band bending driven evolution of the bound electron states at the interface between a 3D topological insulator and a 3D normal insulatorдоклад на конференции
- Авторы: Menshov V.N., Tugushev V.V., Chulkov E.V.
- Международная Конференция : Spin physics, Spin chemistry and Spin technology June 1-5, 2015, St.Petersburg, Russia
- Даты проведения конференции: 1-5 июня 2015
- Дата доклада: 3 июня 2015
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Санкт Петербург, Russia
- Добавил в систему: Тугушев Виктор Витальевич