|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температурыдоклад на конференции
- Авторы: Румянцев В.В., Козлов Д.В., Галеева А.В., Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Гавриленко В.И., Варавин В.С., Якушев М.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Морозов С.В., Кадыков А.М.
- Международная Конференция (Симпозиум) : XXIII Международный симпозиум «Нанофизика и Наноэлектроника»
- Даты проведения конференции: 11-14 марта 2019
- Дата доклада: 13 марта 2019
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Иконников А.В.
- Место проведения: Нижний Новгород, Russia
-
Аннотация доклада:
Исследованы спектры фотопроводимости эпитаксиальных пленок CdHgTe (КРТ) в области дальнего ИК спектра при различных температурах. Прослежена эволюция субщелевых особенностей спектров, связываемых с примесными состояниями, при изменении температуры. На основании уравнения электронейтральности оценена концентрация акцепторов в исследуемых структурах.
- Добавил в систему: Иконников Антон Владимирович