ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
Представлены результаты исследования условий роста, спектроскопические и генерационные характеристики кристаллов Er,Yb:GdAl3(BO3)4 - новых материалов для микрочип лазеров с продольной диодной накачкой.