ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
Методами низкотемпературного сверхвысоковакуумного СТМ/СТС изучена электронная структура квазидвумерного электронного слоя на поверхности (110) полупроводникового соединения InAs, образованного напылением 0.02 ML атомов Co на поверхность. В спектрах туннельной проводимости обнаружены пики, соответствующие 2D подзонам размерного квантования. Впервые в двумерном распределении плотности электронных состояний были обнаружены кольцевые структуры (КС) с резкими границами вокруг кластеров Со на поверхности (110) InAs. Диаметр КС при одном и том же туннельном напряжении отличается для различных кластеров и уменьшается вплоть до размеров кластера при уменьшении значения отрицательного смещения.