|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Tunneling spectroscopy of nonequilibrium interacting impurity states on semiconductor surfaceдоклад на конференции
- Авторы: Маслова Н.С., Орешкин С.И., Савинов С.В., Панов В.И.
- Международная Конференция (Симпозиум) : 8th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology
- Даты проведения конференции: 2000
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Nizhni Novgorod
-
Аннотация доклада:
New STM/STS observation method has been used for investigation of interacting nonequilibrium impurity states on semiconductor surface. The dependence of electronic density spatial distribution on applied tunneling voltage is analyzed. Energy values of "switching on and off" of interatomic interactions are determined. The dependence of Cr impurity dangling bond hybrid orbital electron spatial localization on tunneling bias is observed.
- Добавил в систему: Орешкин Сергей Иванович