Электронные поверхностные состояния в топологических изоляторах (Bi1-xInx)2Se3 и Pb1-ySnySe под действием терагерцевого лазерного излучениядоклад на конференции
Авторы:
Галеева А.В. ,
Егорова С.Г. ,
Черничкин В.И. ,
Румянцев В.В. ,
Морозов С.В. ,
Хохлов Д.Р. ,
Яшина Л.В. ,
Plank H. ,
Данилов С.Н. ,
Рябова Л.И. ,
Тамм М.Е.
Международная Конференция (Симпозиум) :
XX Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
Даты проведения конференции:
14-18 марта 2016
Дата доклада:
15 марта 2016
Тип доклада:
Стендовый
Докладчик:
Галеева А.В.
не указан
Галеева А.В.
Егорова С.Г.
Черничкин В.И.
Румянцев В.В.
Морозов С.В.
Хохлов Д.Р.
Яшина Л.В.
Plank H.
Данилов С.Н.
Рябова Л.И.
Тамм М.Е.
Место проведения:
Нижний Новгород, Russia
Добавил в систему:
Хохлов Дмитрий Ремович