ИСТИНА

Физическое распыление материалов ионами инертных газов низких энергий находит широкое применение в со-временной микроэлектронике. Модификация налетающими ионами структуры приповерхностных слоев материалов может привозить к существенным изменениям их свойств и влиять на интенсивность распыления. Поэтому при компьютерном моделировании указанных процессов возникает необходимость учета дефектов, возникающих в мате-риале. В данной работе моделирование воздействия ионов инертных газов (He, Ne, Ar, Kr, Xe) низкой энергии (до 200 эВ) проводилось методом молекулярной динамики с накоплением повреждений на примере кристаллического кремния. На основании выполненного анализа структурных изменений приповерхностных слоев материала продемонстрированы существенные различия в механизмах повреждения кремния легкими и тяжелыми частицами. Показано, что эффекты кластеризации имплантированных атомов оказывают существенное влияние на указанные процессы при воздействии самого легкого (He) и самого тяжелого (Xe) ионов.