![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
По данным КРС определено отношение объема кристаллической фазы к объему аморфной фазы для образцов, подвергнутых БТО, и образцов, подвергнутых БТО и последующему химическому травлению. Одновременно были получены значения средних размеров nc-Si в этих образцах, которые составляют 4.6 нм и 4.0 нм соответственно. Оценки размеров находятся в хорошем соотношении с данными, полученными из анализа спектров ФЛ. По данным ИК – спектроскопии найдены эффективные показатели преломления и толщины исследуемых образцов. С помощью модели эффективной среды Бруггемана найдены факторы заполнения исследуемых образцов. Отношение объема кристаллической фазы к объему аморфной фазы совпадает с данными КРС. Определена пористость образцов, которая достигает 90% для образцов, подвергнутых БТО и последующему химическому травлению. Определены удельные проводимости исследуемых образцов. Максимальное и минимальное значения отличаются на 4 порядка. Столь сильное изменение проводимости объясняется изменением пористости от 8% до 90%, что приводит к росту потенциальных барьеров между нанокластерами, ограничивающих транспорт зарядов. Обнаружена эффективная ФЛ образцов, подвергнутых БТО и последующему химическому травлению. Этот эффект объясняется излучательной рекомбинацией экситонов, локализованных в nc-Si из-за наличия высоких потенциальных барьеров. Обнаружено, что безызлучательная рекомбинация на поверхностных дефектах подавляется за счёт водородной пассивации. Наличие больших потенциальных барьеров препятствует переносу носителей заряда и делает невозможным возбуждение ЭЛ в исследуемых структурах.