|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Имплантация ионов ксенона в режиме каналирования в монокристалл кремния (110)доклад на конференции
- Авторы: Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Кожемяко А.В., Черныш В.С., Назаров А.В.
- Международная Конференция : Ломоносовские чтения - 2016
- Даты проведения конференции: 18-27 апреля 2016
- Дата доклада: 22 апреля 2016
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: Балакшин Ю.В.
- Место проведения: МГУ им. М.В. Ломоносова, Russia
-
Аннотация доклада:
Проведены эксперименты по внедрению ионов ксенона в монокристалл кремния в направлении (110)с энергией 100 кэВ. Методом Резерфордовского обратного рассеяния получены профили распределения внедренной примеси по глубине. Показано значительное расхождение экспериментальных данных с результатами моделирования в специальных программах
- Добавил в систему: Балакшин Юрий Викторович