ИСТИНА

Сканирующий электронный микроскоп (СЭМ) всё чаще применяется для трёхмерного профилирования поверхностной топологии. При этом, как правило, применяется интегральный по энергиям сигнал вторичных электронов (ВЭ) [1-4] или отражённых электронов (ОЭ) [5-7]. В настоящем сообщении рассмотрены некоторые ограничения стандартных методов профилирования поверхности, связанные с угловыми направленностями эмитированных электронов и геометрией детекторов. Предложен новый подход к задаче трёхмерной реконструкции топографии поверхности, основанный на угловых зависимостях не интегральных, а дифференциальных коэффициентов эмиссии (энергетических спектров), дающий существенные преимущества по чувствительности к локальным наклонам поверхности 1. L. Reimer, R. Böngeler, V. Desai. Scanning microscopy, 1987, 1, 3, pp. 963–973. 2. T. Suganuma. Journal of Electron Microscopy, 1985, 34, 4, 328-337. 3. K. Tanaka, K. Nishimori, K. Maeda, J. Matsuda, M. Hotta. Transactions of ASME, 1992, 114, pp. 274-279. 4. T. Czepkowski, W. Slowko. Scanning, 1996, 18, pp. 433-446. 5. J. Lebiedzik. Scanning, 1979, 2, pp. 230-237. 6. D. Kaczmarek. Optica Applicata, 1997, XXVII, 3. 7. H. Sato, M. O-Hori. Annals of the CIRP, 1982, 31, 1, pp. 457-462 8. Y. Lin, D. C. Joy, Surf. Interface Anal., 2005, 37, pp. 895-900