ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
В результате анализа рассчитанных в данной работе одночастичных электронных спектров молекулы КСРАПТ определены электронные одночастичные энергетические уровни, которые определяют особенности электронного транспорта через эту молекулу в одноэлектронном транзисторе на ее основе. Таким образом, проведенный анализ показал возможность построения одноэлектронного транзистора на основе молекулы КСРАПТ, причем формирование туннельного тока через него определяются небольшим количеством одночастичных состояний молекулы, определяемых совокупностью зарядовых состояний и спиновой мультиплетностью. В частности, зарядовые состояния |n| > 2 и состояния со степенью возбуждения больше 2, в процессе электронного транспорта через молекулу практически не реализуются.