|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Laser Diodes (λ=940 nm) Based on InGaAs/AlGaAs/GaAs Heterostructuresдоклад на конференции
- Авторы: Ladugin M.A., Bagaev T.A., Lebedeva E.I., Marmalyuk A.A., Padalitsa A.A., Sapozhnikov A.S., Simakov V.A.
- Международная Конференция : International Conference on Laser Optics. St. Petersburg, Russia.
- Даты проведения конференции: 25-29 июня 2012
- Дата доклада: 26 июня 2012
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Санкт-Петербург, Russia
-
Аннотация доклада:
Efficient geometry of laser diodes based on InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructure emitting at 940 nm was proposed and implemented. Owing to some improvements in active region (quantum wells and waveguide layers) the differential quantum efficiency was increased from 0,98 up to 1,15 and the high thermal stability was obtained.
- Добавил в систему: Багаев Тимур Анатольевич