|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
NEW TYPE OF HIGH POWER PULSE SEMICONDUCTOR LASER BASED ON EPITAXIALLY-INTEGRATED ALGAAS/GAAS THYRISTOR HETEROSTRUCTUREдоклад на конференции
- Авторы: Slipchenko S.O., Podoskin A.A., Rozhkov A.V., Vasileva V.V., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Bagaev T.A., Zverkov M.V., Konyaev V.P., Kurniavko Y.V., Ladugin M.A., Marmalyuk A.A., Padalitsa A.A., Simakov V.A.
- Международная Конференция : IPC 2014
- Даты проведения конференции: 12-16 октября 2014
- Дата доклада: 13 октября 2014
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Сан-Диего, United States
-
Аннотация доклада:
We present the latest theoretical and experimental results on nonlinear dynamic characteristics of laser-thyristor. We have experimentally demonstrated 4MHz/4.5W high frequency lasing of laser-thyristor in 890-910 nm spectral range. The minimum values of the energy and amplitude of the control current density pulse required to turn on 28 W peak output optical power of laser-thyristor were 1.4 nJ and 0.6 A/cm 2 , respectively.
- Добавил в систему: Багаев Тимур Анатольевич