|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ БИПОЛЯРНОГО ТЕНЗОТРАНЗИСТОРАдоклад на конференции
- Автор: Басов Михаил Викторович
- Локальная Конференция : XI Научно-техническая конференция "ВНИИА-2017"
- Даты проведения конференции: 9-31 марта 2017
- Дата доклада: 1 марта 2017
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: ФГУП ВНИИА им. Духова, Russia
-
Аннотация доклада:
В работе проведены исследования высокочувствительной МЭМС давления, основанной на функционировании электрической схемы дифференциальный каскад с тензочувствительными активными (биполярный n-p-n транзистор) и пассивными (резистор p-типа) элементами. Проведен сравнительный анализ относительно аналогов на тензорезистивном мосте Уитстона.
- Добавил в систему: Басов Михаил Викторович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | The_sensitive_element_for_pressure_sensor_based_on_bipolar_… | The_sensitive_element_for_pressure_sensor_based_on_bipolar_… | 812,2 КБ | 3 ноября 2019 [BasovMikhail] |