ИСТИНА

Создание кристаллов датчиков давления (ДД) в виде микроэлектромеханических систем является од-ним из прогрессивных направлений в микроэлектронике, которое наравне со всеми областями полу-проводниковой промышленности определяют тенденции современного производства электронной техники. Одним из актуальных векторов развития кремниевых кристаллов ДД с мембранной структу-рой, функционирующих на основе применения тензорезистивного эффекта, является использование в составе электрической измерительной схемы активных элементов – транзисторов. Рассмотрена работа нового вида кристалла ДД, использующего кардинально новую электрическую схему в виде тензочувствительного дифференциального каскада с отрицательной обратной связью (ТДК с ООС) с применением биполярного транзистора (БТ), имеющего горизонтальную структуру p-n-p – типа про-водимости (L-PNP)