Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Фотолюминесценция полупроводников с узкой запрещенной зоной типа HgMnTe при больших уровнях возбуждения
доклад на конференции
Авторы:
Юнович А.Э.
,
Белогорохова Л.И.
,
Холина Е.Н.
,
Чапнин В.А.
,
Александрович С.В.
,
Васильева О.Н.
Конференция (Симпозиум) :
8 Всесоюзный симпозиум по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам
Даты проведения конференции:
1991
Тип доклада:
не указан
Докладчик:
не указан
не указан
Юнович А.Э.
Белогорохова Л.И.
Холина Е.Н.
Чапнин В.А.
Александрович С.В.
Васильева О.Н.
Место проведения:
Львов
Добавил в систему:
Васильева Ольга Николаевна