Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Ab initio electronic structure of Ge(111)-(2x1) surface in the presence of surface vacancy. Apllication to STM data analysis
доклад на конференции
Авторы:
Савинов С.В.
,
Панов В.И.
,
Орешкин С.И.
,
Орешкин А.И.
Международная Конференция (Симпозиум) :
20h international Symposium Nanostructures: Physics and Technology
Даты проведения конференции:
2012
Тип доклада:
не указан
Докладчик:
не указан
не указан
Савинов С.В.
Панов В.И.
Орешкин С.И.
Орешкин А.И.
Добавил в систему:
Савинов Сергей Валентинович