ИСТИНА

На сегодняшний день наиболее привлекательными детекторами для регистрации одиночных фотонов являются сверхпроводниковые однофотонные детекторы (SSPD). Данный вид детекторов представляет собой ультратонкие (~4-5 нм) и узкие (~100 нм) полоски сверхпроводника, уложенные в форме меандра на площади 10х10 мкм^2. Принцип регистрации основан на переходе участка сверхпроводниковой структуры, находящейся при температуре, ниже критической, и с протекающим по ней током, близким к критическому, в нормальное состояние при поглощении одиночного фотона. Процент выхода годных образцов (эффективно откликающихся на одиночные фотоны) составляет около 1%, причем не всегда наблюдается заметная корреляция между фотооткликом и электро-физическими характеристиками образцов. Это позволяет сделать вывод о том, что на вероятность поглощения фотона и квантовую эффективность могут влиять неоднородности структуры, возникающие в процессе роста пленки и формирования структуры детектора. В данной работе приводятся результаты экспериментального исследования ультратонких пленок NbN и меандровых структур на их основе, полученных магнетронным распылением, методами рентгеновской дифракции, электронной и ОЖЭ-спектроскопии фазового и элементного состава с пространственным разрешением 10 нм.