Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Characterization of porous GaAs layers by X-ray reflectometry.
доклад на конференции
Авторы:
Lomov A.A.
,
Бушуев В.А.
,
Dravin V.
,
Сутырин А.Г.
,
Караванский В.А.
Международная Конференция :
Third International Conference Porous Semicondactors Science and Tnechnology (Tenerif, Spain, 10-15 March 2002), P. 197-198.
Даты проведения конференции:
2002
Тип доклада:
не указан
Докладчик:
не указан
не указан
Lomov A.A.
Бушуев В.А.
Dravin V.
Сутырин А.Г.
Караванский В.А.
Место проведения:
Tenerif, Spain, Spain
Добавил в систему:
Бушуев Владимир Алексеевич