|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Нелокальная терагерцовая фотопроводимость в структурах на основе топологической фазы Hg1-xCdxTeдоклад на конференции
- Авторы: Казаков А.С., Галеева А.В., Артамкин А.И., Иконников А.В., Рябова Л.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Банников М.И., Данилов С.Н., Хохлов Д.Р.
- Международная Конференция : XXIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2020)
- Даты проведения конференции: 17-22 февраля 2020
- Дата доклада: 18 февраля 2020
- Тип доклада: Приглашенный
- Докладчик: Хохлов Д.Р.
- Место проведения: Екатеринбург-Алапаевск, Russia
-
Аннотация доклада:
Представлены результаты по нелокальной терагерцовой фотопро-водимости в толстых эпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe с инверти-рованным энергетическим спектром (x <~ 0.16). В работе прямо продемонстрировано существование нелокальной компоненты терагерцового фотоответа в толстых эпитаксиальных пленках Hg1-xCdхTe в магнитном поле. Знак нелокального фотоответа зависит от положения потенциального зонда и направления магнит-ного поля, что указывает на киральность индуцированного неравно-весного транспорта. Наблюдаемые нетривиальные особенности фото-транспорта можно интерпретировать как проявление образования концевого хирального краевого проводящего канала в топологиче-ской фазе сплавов Hg1-xCdхTe. Мы обсуждаем результаты в терминах качественной модели, которая учитывает сосуществование объемного транспортного и граничного проводящих каналов.
- Добавил в систему: Хохлов Дмитрий Ремович