ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
В работе представлены результаты вычисления НДС на уровне микроструктуры: 1) на основе трехмерных моделей искусственно созданных структур (B4C – в виде эллипсоидов или цилиндров), 2) на основе реальной структуры композита. Модели для расчетов построены по изображениям, полученным с помощью рентгеновского томографа. Получены зависимости упругих модулей от концентрации B4C. Исследованы концентрации напряжений в статике и динамике.