ИСТИНА

В данной работе разработана методика создания планарных высокотемпературных одноэлектронных транзисторов с применением явления электромиграции для создания наноэлектродов транзистора и метода диэлектрофореза для встраивания наночастиц золота размером 2-4 нм в нанозазор между электродами. Заранее изготовленные с помощью электромиграции нанозазоры помещались в раствор, в котором были разбавлены наночастицы, подавалось напряжение и происходило контролируемое втягивание частиц в нанозазор. При этом измерялось сопротивление зазора и по нему определялся момент, когда частица попадала в зазор. В результате исследований был определен оптимальный режим осаждения и закрепления одиночной частицы, что позволило в итоге изготовить одноэлектронные транзисторы с наночастицами золота. Измеренные в широком температурном диапазоне (77 К – 300 К) характеристики электронного транспорта в полученных устройствах имеют типичный для одноэлектроники участок кулоновской блокады размером 200-300 мВ, а управляющие характеристики имеют периодический характер, что присуще только одноэлектронным устройствам.