![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
В данной работе построена двумерная поверхность потенциальной энергии основного (S0) и первого возбужденного (S1) электронных состояний вблизи их точки конического пересечения с использованием инвариантной многоконфигурационной квазивырожденной теории возмущений XMCQDPT2. Показано, что существует два типа переходных состояний на поверхности S0, бирадикальный и ионный, что связано с наличием квазивырождения двух состояний и взаимодействием их волновых функций в области энергетического барьера при термической изомеризации в газовой фазе. Полученные результаты позволяют сделать вывод о влиянии белкового окружения на скорость спонтанной изомеризации по двум каналам.
№ | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
---|---|---|---|---|---|
1. | программа конференции | mb7550_2b339945a140625ca51a8ace31ff39b278be51c2.pdf | 671,3 КБ | 20 ноября 2020 [nomoon] |