ИСТИНА

Нелинейная зависимость толщины оксидных пленок при окислении меди в нейтральном боратном буферном растворе указывает на разный состав образующихся оксидов и, вероятно, их полупроводниковые свойства. При потенциалах образования Cu2O толщина оксида растет с увеличением потенциала. В области 0.3-0.5 В происходит не только рост CuO, но через 100 мин растворение и этого оксида и растворение самой поверхности. При увеличении потенциала > 0.5 В в течение времени окисления оксид CuO растет.