|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Релаксация дефектов в сегнетоэлектриках при гамма- и микроволновой обработке.доклад на конференции
- Авторы: Белугина Н.В., Толстихина А.Л., Овчинникова Г.И., Гайнутдинов Р.В.
- Всероссийская Конференция : XIII Национальная Конференция по Росту Кристаллов.
- Даты проведения конференции: 2008
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Москва, Russia
-
Аннотация доклада:
Показано, что при малых дозах воздействия оба метода обработки приводят к одинаковым результатам.
- Добавил в систему: Овчинникова Галина Ивановна