ИСТИНА

В докладе теоретически и экспериментально рассматриваются свойства фотолюминесцентного отклика Ge(Si) самоформирующихся наноостровков, находящихся внутри диэлектрического двумерного фотонно-кристаллического волноводного слоя. Оптические состояния в этих структурах описаны в терминах матрицы рассеяния с использованием Фурье-модального метода. Указанные оптические состояния классифицированы с точки зрения теории групп. Кроме этого, исследована диаграмма направленности излучения наноостровков и выполнены оценки величины эффекта Парселла для диполей, расположенных в произвольном месте структуры.