|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Modification of properties silicon-on-saphire structure by means of ion implantationдоклад на конференции
- Авторы: Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Патракеев А.С., Черныш В.С.
- Международная Конференция : 41-st International conference on physics of interaction charged particles with crystals
- Даты проведения конференции: 2011
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: Балакшин Ю.В.
- Место проведения: Россия, Москва, Russia
- Добавил в систему: Балакшин Юрий Викторович