|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Фотопроводимость в гетероструктуре p-AlGaAs/GaAs/AlGaAs при низких температурах.доклад на конференции
- Авторы: Богданов Е.В., Минина Н.Я.
- Международная Конференция : Мокеровские чтения. 12-ая Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 19-20 мая 2021 года, Москва
- Даты проведения конференции: 19-20 мая 2021
- Дата доклада: 19 мая 2021
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Москва, Russia
-
Аннотация доклада:
Effects of negative and positive persistent photoconductivity are found in the p-type Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As heterostructure with normal and inverted heterointerfases at low temperatures 1.7÷160 K. The negative photoconductivity is explained by the existence of a layer of donor-like traps with a low thermal activation barrier of about 6±0.9 meV near the heterointerface. Positive persistent photoconductivity is associated with electron traps characterized by the magnitude of the thermal activation barrier 22±2 meV at the inverted heterointerface. The effect of uniaxial compression on the magnitude of thermal activation barriers was not found.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович