![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Изучение свойств тонкопленочных полупроводников имеют большое значение для продвижения солнечных преобразователей третьего поколения в производство. Наиболее стабильны преобразователи на основе неорганических соединений. Тем не менее, даже для таких преобразователей нет достаточного количества данных о природе влияния условий хранения и эксплуатации [1-3], а также о влиянии длительного освещения на диэлектрические свойства. В частности, это относится и к тонкопленочным солнечным батареям на основе Cu-In-Ga-(S,Se) (CIGS). Отсутствие этих данных лишает возможности корректно оценить предельные возможности изготавливаемых устройств и их стабильность. Поэтому исследование влияния атмосферы и фотодиэлектрического эффекта в тонких пленках CIGS является актуальным.