|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Calculation of ion channeling and defect distribution in Si single crystal by B ion bombardmentдоклад на конференции
- Авторы: Eltekov V.A., Karpuzov D.S., Yurasova V.E., Rubakha E.A., Simonov V.A., Martynenko Yu V.
- Конференция : The 4-th Internationmal Conference on Atomic Collisions in Solids
- Даты проведения конференции: 1971
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Gausdal, Norway, Norway
- Добавил в систему: Эльтеков Виталий Анатольевич