|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Моделирование высокочувствительного элемента датчика давления на основе биполярного тензотранзисторадоклад на конференции
- Автор: Басов М.В.
- Локальная Конференция : XII Научно-техническая конференция «ВНИИА-2018
- Даты проведения конференции: 9 февраля - 15 марта 2018
- Дата доклада: 3 мая 2018
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: ФГУП ВНИИА им. Н.Л. Духова, Russia
-
Аннотация доклада:
В докладе представлены результаты моделирования высокочувствитель-ного элемента датчика давления, выполненного в виде кремниевого кристалла МЭМС. Разработаны схемотехнические и технологические аспекты построения термостабильной системы, основанной на функционировании электрической схемы дифференциальный каскад с отрицательной обратной связью. Проведен срав-нительный анализ по тензочувствительности относительно аналогов с электри-ческой схемой резистивного моста Уитстона.
- Добавил в систему: Басов Михаил Викторович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | 522_-_Basov._Doklad._2018.docx | 936,7 КБ | 6 августа 2021 [BasovMikhail] | |
| 2. | Презентация | 522_-_Basov._Prezentatsiya._2018.pptx | 7,8 МБ | 6 августа 2021 [BasovMikhail] |